RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
50
Около -150% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.2
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
19.7
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3473
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CK0 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link