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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
55
En 9% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.3
3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
55
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
2078
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
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