RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
50
55
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.3
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.4
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
55
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
9.3
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
2078
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link