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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
16.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
87
En -383% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
18
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
16.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3601
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
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