Comparación de la memoria RAM TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

Puntuación global

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Mayor velocidad de escritura, GB/s

870.4 1,500.2

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

47 87

En -85% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

4 3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

6400 5300

En 1.21 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

417 460

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns