RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
87
En -181% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3861
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Inmos + 256MB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link