RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
87
En -295% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3207
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link