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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
87
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
26
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
15.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3515
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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