RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
87
En -135% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
37
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
2356
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1D 2GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link