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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Compara
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Puntuación global
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
87
En -149% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
87
35
Velocidad de lectura, GB/s
3,155.6
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
870.4
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
417
3049
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
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