Comparación de la memoria RAM TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Puntuación global

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

3 16

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

870.4 13.4

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

32 87

En -172% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 5300

En 3.62 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

417 1897

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns