RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Compara
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Puntuación global
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
53
En -71% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
1,590.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
53
31
Velocidad de lectura, GB/s
3,726.4
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,590.1
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
522
3371
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link