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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB

Pontuação geral
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Pontuação geral
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G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Razões a considerar
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Relatar um erro
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 17.5
    Valor médio nos testes
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Razões a considerar
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    31 left arrow 53
    Por volta de -71% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    13.6 left arrow 1,590.1
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 6400
    Por volta de 2.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    53 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,726.4 left arrow 17.5
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,590.1 left arrow 13.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    522 left arrow 3371

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparações de RAM

Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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