RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
17.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
96
En -220% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
30
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
3473
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link