RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
96
Wokół strony -220% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
3473
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link