RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
72
96
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
72
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
1817
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link