RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
72
96
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
72
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1817
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link