RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
94
Autour de -276% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
25
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2704
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link