RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
94
Autour de -309% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.9
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
23
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2545
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link