RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Comparez
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Note globale
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
26
Autour de -24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
21
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1952
3356
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Comparaison des RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link