RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
57
94
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.5
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
57
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
9.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
2213
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link