RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Comparez
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Note globale
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Note globale
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
56
94
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
7.5
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
4.4
1,165.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
94
56
Vitesse de lecture, GB/s
1,882.0
7.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,165.4
4.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
305
1598
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link