RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
94
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.5
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.4
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
56
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
7.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
4.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
1598
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link