RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
94
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
7.5
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.4
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
56
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
7.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
4.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
1598
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSA8GX3M2A1333C9 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link