RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Comparez
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Note globale
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de -23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
32
26
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
2806
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link