RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB против Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
32
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2968
2806
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link