RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
52
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
2703
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link