RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
52
Autour de -174% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
19
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
3220
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link