RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Comparez
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Note globale
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Note globale
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
52
Autour de -93% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
1,145.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,614.5
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,145.9
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
409
2186
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link