RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Comparez
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Note globale
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Note globale
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
36
Autour de 28% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
36
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2174
2466
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link