RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
13.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2466
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link