RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Comparez
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB vs Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Note globale
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
16000
Autour de 1.06% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de -3% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR5
Latence dans PassMark, ns
30
29
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
13.9
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
16000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
PC5-16000, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3473
3521
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link