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Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparez
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Note globale
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
51
85
Autour de 40% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.0
1,839.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
85
Vitesse de lecture, GB/s
4,246.9
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,839.1
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
721
1118
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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