RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB vs Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Note globale
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de 4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
6.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
25
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
11.0
6.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
2041
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link