RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de -12% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
26
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
3866
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link