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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2488
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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