RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2488
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link