RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
81
Autour de 67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
81
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
5.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
1651
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Micron Technology 72JSZS4G72L1G9E2A7 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link