RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
81
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
81
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
1651
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link