RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.7
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3587
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
INTENSO 5641160 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link