RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
59
Autour de 59% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,449.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR2
Latence dans PassMark, ns
24
59
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
4,467.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
2,449.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
6400
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
712
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.A1GA0.9LZ 2GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link