RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
31
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.4
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2954
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link