RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
41
Autour de -64% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
25
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2740
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Lenovo 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link