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Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Comparez
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Note globale
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
48
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.5
8.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
43
48
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
8.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
5.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1682
1420
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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