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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Comparez
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Note globale
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
65
Autour de -103% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.9
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
4.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
32
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
19.9
Vitesse d'écriture, GB/s
4.2
14.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
985
3372
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Comparaison des RAM
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Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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