RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
65
Около -103% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
4.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
32
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
19.9
Скорость записи, Гб/сек
4.2
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
985
3372
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Сравнения RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M378B5773SB0-CK0 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link