RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
45
Autour de -50% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.6
2,935.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
30
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
1832
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link