RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
55
Autour de 55% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
55
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2135
2701
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link