RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
55
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
55
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2135
2701
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link