RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
55
Wokół strony 55% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
55
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2135
2701
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link