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G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de -13% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
12.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.7
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2644
2361
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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