RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
12.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
9.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
35
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.2
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.7
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2644
2361
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBZL 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link